遮蔽筒

キセノン装置は、点灯直後に1000℃近辺まで試料が加熱されます。1000℃以下の試料を育成する場合、遮蔽筒の間隔で光量を変えることにより、低融点試料の育成も可能です。遮蔽筒の間隔は、育成中でも外部から行える機構となっております。

ガスガイド

蒸発物の多い試料を育成する場合、石英管が曇り長時間の育成が出来なくなります。ガスガイドを使用することで、ガスの流れをガスガイド内部にすることで強制的に付着させ、石英管の曇りを軽減させることができます。

アフターヒーターユニット

温度勾配がきついと割れてしまう様な結晶をFZ法（Floating Zone Method)で育成する場合、本アフターヒーターユニットを追加する事で温度勾配が緩やかになり、結晶の割れを防ぐ事ができます。