キセノン装置は、点灯直後に1000℃近辺まで試料が加熱されます。1000℃以下の試料を育成する場合、遮蔽筒の間隔で光量を変えることにより、低融点試料の育成も可能です。遮蔽筒の間隔は、育成中でも外部から行える機構となっております。