レーザ型(標準型・高圧型)
光学式浮遊帯域溶融装置
当社のレーザFZ法装置は局所加熱で溶融部以外の熱影響を抑え、多様な材料の結晶化に対応します。放射温度計と映像によるリアルタイム監視で、安定的かつ再現性のある成長を実現します。
製品画像


製品紹介
当社のレーザ単結晶育成装置は、レーザによる浮遊帯域溶融法(Laser Floating Zone, FZ法)を採用し、鋭い温度勾配による局所加熱で溶融部以外への熱影響を最小化します。従来のランプ加熱式では困難だった分解溶融材料の結晶化にも高い効果を発揮。さらに、放射温度計と映像を用いたリアルタイムモニタリング機能を備えることで、高い再現性を持つ結晶成長プロセスを実現しました。
複数レーザダイオードによる均一加熱
等間隔に配置した複数のLDが溶融帯域を均一に加熱。温度ムラを抑え、界面の平滑性と再現性を向上させます。
急峻な温度勾配で分解溶融材料対応
ランプ加熱に比べ急峻な温度勾配により、従来法で困難だったBiFeO₃や(La,Ba)₂CuO₄などの分解溶融材料の育成実績があります。
広範な育成速度レンジ
遅送り:0.01~300 mm/h、早送り:1~150 mm/min。超低速から高速まで自在に制御でき、さまざまな材料系に対応します。
リアルタイムプロセスモニタリング
放射温度計と映像によるライブ監視で温度・状態を常時把握。PCベースのGUIにより操作性も高く、ソフトウェアのアップデートやカスタマイズにも柔軟に対応可能です。
放射温度計による温度勾配測定(標準型)
上下方向の温度勾配を自動測定し、育成中の結晶の状態を精密にモニタリングします。
大出力レーザモジュール選択可能(標準型)
標準で200 W×5基(1kW)、オプションで500 W×5基(2.5kW)まで選択可。タングステン(融点3400 ℃超)など超高温材料にも対応します。
可変/固定照射角度機構
標準型は0°~30°でビーム入射角を調整可能。育成材料に合わせ最適な角度を設定できます。高圧型は30°固定で、SCFZ法など高圧環境下の手法にも対応します。
真空排気および高圧雰囲気下での育成
標準型はオプションの真空ポンプで6.7×10⁻³ Pa以上の高真空を実現し、さらに0.95 MPaまでの高圧雰囲気での育成が可能。高圧型では最大15 MPaまで加圧しての結晶育成に対応します。
装置のカスタマイズ可能
お客様のご要望により、カスタマイズが可能です。
例
自動傾斜機構(標準型)
ビームプロファイル変換ユニット
- ガスガイド(ハロゲン、キセノン、レーザFZ)
- アフターヒーター・ユニット(レーザFZ、ハロゲンのみ)
手厚いサポート体制
トラブル等に対しては、1~2日以内に対応を開始します(リモート対応の場合もあり)。
20年以上ご使用の装置に対しても、誠実・丁寧に対応させて頂きます。
他社製の装置もサポート致します。
製品ラインアップ
FZ-LD-3-500W-II-VPO-PC-HP

高圧型